日本2nm密度竟然高于台积电N2！远超Intel 18A_3DM单机

日本在半导体材料方面居于世界领先地位，但因为缺乏完整产业链，工艺制程方面一直默默无闻，不过近些年，在日本政府大力扶持下，日本开始在工艺制程方面发力。

日本初创晶圆代工企业Rapidus最近公布了其2HP 2nm工艺的逻辑密度指标，竟然超越了台积电N2，并且远远优于Intel 18A，令人惊讶。

据悉，Rapidus 2HP的逻辑晶体管密度为每平方毫米2.3731亿个，略微高于台积电N2 2.3617亿个，幅度不到5％，卡得非常准。

**Intel 18A的晶体管密度没有官方数据，估计约为每平方毫米1.8421亿个，**日本比之胜出接近30％！

至于台积电N3B/E/P、Intel 3、三星3GAP等一系列3nm工艺，更是望尘莫及。

另外，Rapidus 2HP的单元库包括一个HD高密度库，高度为138个单元，间距为G45。

不过令人存疑的是，权威半导体分析机构TechInsights此前分析认为，在高密度的逻辑晶体管密度指标上，台积电N2其实做到了每平方毫米3.13亿个，Intel 18A也有2.38亿个，甚至三星2GAA都不算差约为2.31亿个。

这些数据，远高于日本方面宣传的。

另外需要指出的是，Intel 18A晶体管密度明显低于台积电N2，并不代表其水平更差，而是采用了新的背面供电技术，占据了一些前方金属层，导致逻辑密度偏低。

同时，Intel主要追求的不是最大密度，而是最高能效。

总的来说，如果Rapidus公布的数据属实，至少说明日本2nm工艺达到了相当高的水准，但超越台积电、Intel还有待商榷，尤其是这是一家新兴企业。

Rapidus 2HP PDK(工艺设计包)将于2026年一季度提供，计划2027年投入量产，但用于什么芯片尚不清楚。

当然，就算造假了也没啥，鞠个躬的事儿嘛！