DDR6内存有望2027年大规模普及 起步8800MT/s_3DM单机

目前随着生成式AI、高效能运算（HPC）和数据中心对内存频率与效率需求的快速提升，新一代内存标准DDR6正朝着量产普及迈进。

据报道，业界预估DDR6将于2027年进入大规模普及期。

目前三星、美光与SK海力士等全球三大DRAM原厂，已率先启动开发计划，聚焦于DDR6芯片、控制器与封装模组的技术突破与产品布局。

根据JEDEC的推进时间表，DDR6主规范已于2024年底完成草案，LPDDR6草案也于2025年第二季对外发布，预计2026年将进入平台测试与验证阶段。

业者分析，DDR6在效能与架构方面皆实现重大突破，起始速率达8800MT/s，产品生命周期内最高可达17600 MT/s，超频模块最终可能达到 21000MT/s的速度，整体效能较DDR5提升约2至3倍。

在架构方面，DDR6采用4×24-bit通道设计，相较DDR5的2×32-bit，在平行处理效率、数据流通与频率使用上更具优势，但同时也对模组I/O设计提出更高要求。

与此同时，由JEDEC标准化的CAMM2，正成为DDR6时代的主流解决方案，CAMM2结合高频宽、高密度、低阻抗与薄型化设计，成功解决DDR5中288引脚DIMM插槽限制。