ASML瞄准下一代Hyper-NA EUV技术 2030年左右提供新的光刻设备_3DM单机

近年来，ASML站到了世界半导体技术的中心位置，成为了先进半导体生产供应链的关键一环。目前ASML有序地执行其路线图，在EUV之后是High-NA EUV技术，去年末已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。虽然业界才刚刚准备迈入High-NA EUV时代，但是ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案。

据外媒报道，ASML公布了下一代Hyper-NA EUV技术路线图，目前仍处于开发的早期阶段。前ASML首席技术官Martin van den Brink在今年5月举行的imec ITF World的演讲中表示，从长远来说需要改进照明系统，必须采用Hyper-NA，同时还需要将所有系统的生产效率提升至每小时400到500片晶圆。

ASML计划在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻机，数值孔径将达到0.75。相比之下，High-NA EUV提供的数值孔径为0.55，EUV则是0.33，随着精度的进一步提高，可实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征。对ASML而言，未来Hyper-NA技术还将推动其整体EUV能力平台，以改善成本和交付周期。

Hyper-NA技术肯定会带来一些新的挑战，比如光刻胶，需要变得更薄。按照imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法，High-NA EUV应该可以覆盖2nm到1.4nm，再到1nm甚至0.7nm的制程节点。在那之后，Hyper-NA EUV将开始接管。