台积电首次提及1.4nm工艺正在研发中 对2nm工艺信心满满_3DM单机

近日，台积电（TSMC）在IEEE国际电子元件会议（IEDM 2023）上透露，其1.4nm制程节点的研发工作已全面展开，进展顺利，同时再次强调下一代的2nm制程节点会在2025年实现量产。

据外媒报道，这是台积电首次对外披露其1.4nm制程节点的情况，其对应工艺的正式名称为“A14”。至于A14工艺的具体规格和量产时间，暂时还不清楚。按照台积电的计划，N2工艺计划在2025年底量产，N2P工艺则是2026年底，有理由相信A14工艺的推出时间大概在2027年至2028年之间。

尽管台积电正在探索下一代堆叠式CFET架构晶体管技术，不过A14工艺不太可能采用，更可能依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，这一点应该与N2工艺相同。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，新设备的引入或许会为芯片设计人员和芯片制造商带来一些新挑战。像N2和A14这样的前沿半导体工艺，需要系统级协同优化，才能真正发挥作用，最终将性能、功耗和功能提升到新的水平。

去年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图，其中SF1.4（1.4nm级别）工艺预计会在2027年量产，纳米片的数量从3个增加到4个，有望显著改善性能和功耗的表现。从时间上来看，台积电的A14工艺应该与三星的SF1.4工艺差不多。

对于外界盛传三星在2nm上采降价策略抢夺订单，台积电董事长刘德音表示“客户还是看技术的品质”，似乎对下一代工艺非常有信心。