英特尔先进制程再遇挫 高通已停止开发Intel 20A芯片_3DM单机

在两年前的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）雄心勃勃地公布了最新工艺路线图，力求在四年里迈过5个制程节点，分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A，目标半导体制造工艺可以在2025年赶上台积电（TSMC），同时围绕“IDM 2.0”战略打造世界一流的英特尔代工服务（IFS）。

英特尔在过去两年里，多次表示先进工艺开发方面进展顺利。今年3月，英特尔高级副总裁兼中国区董事长王锐在接受媒体采访时表示，Intel 20A和Intel 18A工艺制程已测试流片，并坚信到2025年能够重新回领先地位。不过近日有分析师透露，高通可能已停止设计基于Intel 20A工艺的芯片，意味着Intel 18A工艺的研发和量产将面临更高的不确定性和风险。

如果消息属实，相信对于雄心勃勃的英特尔来说是一个严重的打击。今年3月，英特尔才和Arm达成了协议，让芯片设计者能够基于Intel 18A工艺打造低功耗的SoC，首先聚焦的便是移动设备，而高通恰恰是该领域的龙头企业。

按照英特尔的计划，将在Intel 20A制程节点首次引入RibbonFET和PowerVia两大突破性技术，从而开启埃米时代。其中RibbonFET是对全环绕栅极晶体管（Gate All Around）的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

数天前，英特尔还发文专门介绍了PowerVia技术。英特尔表示，应用新技术后，芯片制造更像三明治，首先还是制造晶体管，然后添加互连层，接着翻转晶圆并进行打磨，在晶体管底层接上电源线。背面供电一方面让晶体管供电的路径变得非常直接，可以减少信号串扰，降低功耗，将平台电压降低优化30%。另一方面，解决了晶体管尺寸不断缩小带来的互连瓶颈，实现了6%的频率增益和超过90%的标准单元利用率。此外，英特尔还开发了全新的散热技术，并在基于Intel 4的、经过充分验证的测试芯片上进行了反复调试，测试芯片展示了良好的散热特性，PowerVia能达到了相当高的良率和可靠性指标。