铠侠开始启用两个新的研发中心 将加快和深化研发工作_3DM单机

铠侠（Kioxia）宣布，这个月已开始启用两个新的研发设施，分别是位于横滨技术园区旗舰大楼，以及Shin-Koyasu前沿技术中心。铠侠表示，未来日本神奈川县的其他研发职能部门将搬迁到新的研发中心，以提高研究效率，进一步促进技术的创新和发展。

随着新建旗舰大楼的加入，铠侠在横滨技术园区的规模扩大了近一倍，这能让其更好地对NAND闪存和SSD产品进行评估，从而提高整体的产品开发和产品质量。旗舰大楼配备了环保设施，而且还获得了ZEB-Ready（准净零能耗）认证，意味着通过提高能源效率，将能源消耗减少50%或以上。

Shin-Koyasu前沿技术中心主要展开半导体领域广泛的尖端基础研究，涉及新材料、新工艺和新器件，拥有最先进的洁净室和环保设计。铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示，建造两个新的研发设施以后，铠侠将加快和深化研发工作，以提供支持未来数字社会的产品、服务和技术。

铠侠还与大学、科研机构和其他公司合作，除了下一代存储技术外，还在推进多个领域的研发，包括面向以数据为中心的计算系统技术和人工智能等数字化转型。