台积电将在2024年引入High-NA EUV光刻机 或用于2025年2nm芯片生产_3DM单机

台积电（TSMC）的目标是2025年量产其N2工艺，而现阶段主要是其他N3工艺的产量和良品率，这被认为是世界上最先进的芯片制造技术之一。随着英特尔Meteor Lake延期，以及N3工艺的效能未让苹果满意，台积电很可能放弃N3工艺，将重点转移到明年量产的N3E工艺，这属于第二版3nm制程。

虽然台积电短期内的工艺推进计划似乎受到了一些挫折，不过并没有影响其技术的研发，近期台积电负责研发和技术的高级副总裁YJ Mii博士分享了更多的信息。据Wccftech报道，台积电下一阶段将转向具有更大镜头的机器，计划在2024年引入High-NA EUV光刻机，一般认为会用于2nm芯片的制造上。

据ASML（阿斯麦）的介绍，具有高数值孔径（High-NA）的新型EUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征，同时每小时能生产超过200片晶圆。此前英特尔已宣布购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统，计划从2025年使用High-NA EUV进行生产。

台积电在2024年拿到High-NA EUV光刻机后，初期仅用于研发和协作，期间会按照自己的要求进行调整，适当时候再用于大规模生产。与3nm制程节点不同，2nm制程节点将使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，台积电称相比3nm工艺会有10%到15%的性能提升，还可以将功耗降低25%到30%。预计N2工艺于2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批芯片。