台积电1纳米工艺取得重大突破 但量产还要等很多年_3DM单机

前一段时间，IBM宣布制造出全球首款2nm工艺节点的芯片，让不少人期待2nm芯片可以早日实现量产。近日，半导体工艺方面又传来了喜讯。台积电（TSMC）与台大（NTU）和麻省理工（MIT）合作，在研发1nm芯片方面取得了重大突破。

研究人员发现，利用半金属铋（Bi）作为二维材料的接触极来替代原有的硅元素，这样可以利用铋元素大幅度降低电阻并大大提高传输电流。该发现首先由MIT团队提出，然后台积电和NTU进一步进行了完善。在未来，这可以提高芯片的性能和能源效率，相关的研究已发表在国际期刊《Nature》上。

台积电计划在2022年下半年3nm工艺节点进入批量生产阶段，目前还在进行2nm工艺节点的研发，1nm工艺节点要实现真正量产估计还要等上好些年。

近期台积电最大的麻烦仍然是生产用水的问题，中国台湾地区持续的干旱使得当地主管部门不断收紧用水政策。据Wccftech报道，市场传言台积电为了保障用水，不断增加预算，通过订购更多水罐车运水以保障生产。据研究公司Susquehanna的统计，目前业内采购订单的交货时间在3月份已经增加了一周，达到了16周，这也是多年来的最高值。更糟糕的是，据现有数据显示，4月份会在此基础上再加上一周。

尽管AMD首席执行官苏姿丰博士接受彭博社采访的时候似乎并不担心芯片短缺的问题，并不认同当前供需状况是一场“灾难”这种说法，认为只是半导体业必须经历的“循环”，同时表示AMD的产品线有足够实力应付未来的挑战。