中芯国际7nm工艺Q4季度问世：性能提升20% 功耗降低57%_3DM单机

今年台积电和三星就要量产5nm工艺了，国内的先进工艺还在追赶，最大的晶圆代工厂中芯国际去年底量产了14nm工艺，带来了1%的营收，收入769万美元，不过该工艺技术已经可以满足国内95%的需求了。

14nm及改进型的12nm工艺是中芯国际第一代FinFET工艺，他们还在研发更先进的N+1括N+2 FinFET工艺，分别相当于7nm工艺的低功耗、高性能版本。

根据中芯国际联席CEO梁孟松博士所示，N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2显然是面向高性能的，成本也会增加。

至于备受关注的EUV光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2工艺可能会有几层光罩使用EUV，之后的工艺才会大规模转向EUV光刻工艺。

现在最关键的是中芯国际的7nm何时量产，最新消息称中芯国际的N+1 FinFET工艺已经有客户导入了(不过没公布客户名单)，今年Q4季度小规模生产——这个消息比之前的爆料要好一些，进度更快。

为了加快先进工艺产能，中芯国际今年的资本开支将达到31亿美元(该公司一年营收也不过30亿美元上下)，其中20亿美元用于中芯国际的上海12英寸晶圆厂，5亿美元用于北京12英寸晶圆厂。