三星研发8nm工艺的LPDDR5内存 速率升至7.3Gbps | Hi科技

作为全球内存芯片厂商之一，三星在VLSI 2019大会上公布了基于8nm工艺的LPDDR5 Phy物理层芯片，一举将速率提升到了7.3Gbps，而且功耗只有790mW。除此之外，三星还在继续提升LPDDR4X内存的速率，目前LPDDR4X-4266Mbps内存已经有了，三星的目标是5Gbps的LPDDR4X内存。

去年7月，三星就宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级工艺，单颗容量8Gb（1GB）。而在去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上，三星人士透露，LPDDR5内存计划2020年商用。