最强闪存 三星850 Pro大战38款SSD对比横评 _ 游民星空 GamerSky.com
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三星今天在首尔召开“2014三星固态硬盘全球峰会”，在会上发布了新的850 Pro系列SSD，该系列SSD的最大特色就是使用了3D V-NAND闪存，三星对于闪存的使用还是相当大胆的，去年推出了首款使用TLC闪存的840系列，而现在的850 Pro则是首款采用3D V-NAND技术的SSD。
三星850 Pro并没有采用最新的M.2或者SATA-E接口，继续使用SATA 6Gbps接口，共有128、256、512和1TB四个容量，最大连续读写速度为550/520 MB/s，4K随机读写IOPS分别为100,000/90,000，采用三星第二代86Gbit 40nm MLC V-NAND，将与7月中旬正式上市，不同容量的具体性能请看下表：
表格来自Anandtech
现在已经有多个外国媒体对850 Pro进行了评测，我们现在翻译的这个是来自Hardware.info的，另外关于3D V-NAND我们之前有专门的文章对其进行了介绍，简单来说就是不通过传统的缩小cell单元来最求大容量，而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元来提升容量，有兴趣了解详情的朋友可以去看看这个《NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解》。
三星850 Pro正面
三星850 Pro反面
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- 第1页：包装，外观
- 第2页：拆解
- 第3页：Iometer测试
- 第4页：AS SSD测试
- 第5页：PCMark测试
- 第6页：性能稳定性测试
拆解部分：
128GB与256GB的850 Pro上面只有四颗闪存
512GB与1TB的850 Pro上面则有8颗闪存，PCB也长很多
三星850 Pro所用的主控与840 EVO一样是MEX，内置一颗三核ARM Cortex-R4处理器，主频400MHz，采用LPDDR2作为缓存，128GB的缓存是256MB，256GB与512GB的缓存容量是512MB，而1TB的缓存容量是1024MB。
三星在去年发布840 EVO时推出了RAPID技术，利用可用内存空间来充当SSD的读写缓存，这样就可以让SSD的读写能力得到大幅度提升，而现在的850 Pro则支持升级版的RAPID 2.0技术，支持更大的内存并且改进了缓存算法。
下一页开始是各种测试，先在这里说一下结论：在目前的消费级SATA 6Gbps的SSD中，850Pro可以说是性能最强的，连续性能与上代840Pro基本一样，随机性能则有明显的提升。
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- 第1页：包装，外观
- 第2页：拆解
- 第3页：Iometer测试
- 第4页：AS SSD测试
- 第5页：PCMark测试
- 第6页：性能稳定性测试
Iometer测试：
连续读取测试
连续写入测试
4K QD1随机读取测试
4K QD1随机写入测试
4K QD32随机读取测试
4K QD32随机写入测试
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- 第2页：拆解
- 第3页：Iometer测试
- 第4页：AS SSD测试
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- 第6页：性能稳定性测试
AS SSD测试：
连续读取
连续写入
4K随机读取
4K随机写入
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- 第3页：Iometer测试
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PCMark测试：
PCMark 7测试
PCMark 8测试
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- 第5页：PCMark测试
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性能稳定性测试：
三星850 Pro 256GB稳定性测试，纵轴是写入IOPS，横轴的时间，单位为秒
三星850 Pro 512GB稳定性测试，纵轴是写入IOPS，横轴的时间，单位为秒
三星850 Pro 1TB稳定性测试，纵轴是写入IOPS，横轴的时间，单位为秒
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