SanDisk宣布下一代iNAND嵌入式闪存 _3DM单机

巴塞罗那的WMC 2011世界通信大会上，SanDisk宣布了下一代iNAND、iNAND Ultra嵌入式闪存驱动器(EFD)，封装体积更加小巧。

SanDisk的新一代iNAND嵌入式闪存芯片采用24nm新工艺制造，结合新的封装技术，封装体积减少到仅仅13×11.5×1.0毫米，iNAND EFD驱动器封装尺寸则是JEDEC标准的12×16毫米，更适合打造轻薄型智能手机、平板机产品，容量最大8GB。

iNAND EFD基于SanDisk X3 NAND闪存技术，每单元存储三比特数据，iNAND Ultra EFD则基于X2 MLC NAND闪存技术，容量最少2GB，最大64GB，而上代产品最大才不过16GB。

SanDisk将从2011年第三季度开始出货新一代iNAND嵌入式闪存芯片和驱动器。